Intel公布Chiplet黑科技Co-EMIB, ODI和MDIO

jerrytsao10天前69 次点击

本帖最后由 jerrytsao 于 2019-7-10 02:56 编辑

Intel在SEMICON West上公布未来应用于Chiplet的几个黑科技, 大概率又是一个农企率先引入然后被牙膏发扬光大的东西

Co-EMIB

结合了EMIB芯片间的Bumps和Foveros芯片3D堆叠技术, 结果就是以后在出现夸张密度的同时拥有低能耗高带宽





官方视频可以很好地帮助理解整个流程 https://www.youtube.com/watch?v=NZ8t2zdTo2c















ODI (Omni-Directional Interconnect)

这项新技术说白了就是将上面EMIB和Foveros堆叠的概念引入Chiplet和Die内部, 有Type 1, Type 2和Type 2特例三种配置方式

它能给堆叠上部芯片带来更充足的供电, 降低芯片和基板之间的延迟, 同时提升带宽, 目前还属于研发阶段






同样也有官方视频 https://www.youtube.com/watch?v=JZt4rqzGuHs









MDIO

Die/Chiplet之间的协议接口, 用来取代目前的AIB(Advanced Interface Bus)协议, Intel声称和TSMC上月公布的LIPINCON水平相当




下面是2020年可以看到的10nm Chiplets晶圆和芯片实物, 这还只是开始, 人家已经开始考虑2030年的设计了...





想象一下2个28C Die+8个HBM Stacks



H/T

https://newsroom.intel.com/news/intel-unveils-new-tools-advanced-chip-packaging-toolbox/
https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1334899
https://fuse.wikichip.org/news/2503/intel-introduces-co-emib-adds-omni-directional-interconnects/
https://www.servethehome.com/intel-omni-directional-interconnect-and-co-emib/
https://twitter.com/david_schor/status/1148629786576617472
https://twitter.com/anshelsag/status/1148627973882253313
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